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『簡體書』模拟CMOS集成电路设计（英文版）

書城自編碼： 2116206
分類：簡體書→大陸圖書→工業技術→電子/通信
作者： [美]拉扎维
國際書號(ISBN)： 9787111430278
出版社： 机械工业出版社
出版日期： 2013-07-01
版次： 1 印次： 1
頁數/字數： 684/
書度/開本： 32开 釘裝： 平装

售價：HK$ 209.4

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編輯推薦：
本书可以使读者掌握CMOS模拟集成电路的知识和设计方法，学习CMOS模拟集成电路的设计技巧，训练在复杂的模拟电路指标和规范间折中寻优的习惯，使学生逐渐成为一个成功的模拟电路设计师。
內容簡介：
本书是加州大学洛杉矶分校（UCLA）的教材介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解技术的最新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。本书自出版以来得到了国内外读者的好评和青睐，被许多国际知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名顶级公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。
關於作者：
毕查德·拉扎维于分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT＆T贝尔实验室工作，随后又受聘于Hewlett—Packard实验室。他于1992年-1994年在普林斯顿大学新泽西州普林斯顿及1995年在斯坦福大学任副教授。1996年9月，他成为加州大学洛杉矶分校的电气工程系副教授，随后晋升为教授。拉扎维教授是VLSI电路专题讨论会的技术程序委员会和国际固体电子协会ISSCC的成员，担任模拟小组委员会的主席。

 

 

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